Datasheet > RGT8NS65D(LPDS)

RGT8NS65D(LPDS)

更新时间： 2024-11-20 11:08:15

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		栅双极性晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
12页	730K
描述
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RGT8NS65D(LPDS) 数据手册

RGT8NS65D

650V 4A Field Stop Trench IGBT

Data Sheet

lOutline

LPDS / TO-262

V_CES

I_C(100°C)

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

(2)

1.65V

65W

(1)

(3)

(1)(2)(3)

lFeatures

lInner Circuit

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) Low Switching Loss

(2)

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

3) Short Circuit Withstand Time 5μs

(1)

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

(RFN - Series)

*1 Built in FRD

(3)

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

lPackaging Specifications

Packaging

Taping / Tube

330 / -

lApplications

General Inverter

Reel Size (mm)

UPS

Tape Width (mm)

Type

24 / -

Power Conditioner

Welder

Basic Ordering Unit (pcs) 1,000 / 1,000

Packing Code

Marking

TL / C9

RGT8NS65D

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

Unit

650

Gate - Emitter Voltage

30

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

Pulsed Collector Current

Diode Forward Current

Diode Pulsed Forward Current

Power Dissipation

I_CP

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

I_FP

T_C= 25°C

P_D

T_j

°C

T_C= 100°C

Operating Junction Temperature

-40 to +175

-55 to +175

T_stg

Storage Temperature

*1 Pulse width limited by T_jmax.

www.rohm.com

2015.11 - Rev.C

1/11

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与RGT8NS65D(LPDS)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RGT8NS65D(TO-262)	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。
RGT8TM65D	ROHM	获取价格	RGT8TM65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适合
RGTH00TK65	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了
RGTH00TK65D	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了
RGTH00TS65	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。
RGTH00TS65D	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。
RGTH40TK65	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了
RGTH40TK65D	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了
RGTH40TS65	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。
RGTH40TS65D	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

与RGT8NS65D(LPDS)相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RGT8NS65D(LPDS)

RGT8NS65D(LPDS) 数据手册

与RGT8NS65D(LPDS)相关器件

与RGT8NS65D(LPDS)相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RGT8NS65D(LPDS)

RGT8NS65D(LPDS) 数据手册

与RGT8NS65D(LPDS)相关器件

与RGT8NS65D(LPDS)相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？