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RGT30NS65D(LPDS)

更新时间： 2024-11-27 11:11:59

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		栅双极性晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
12页	734K
描述
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

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RGT30NS65D(LPDS) 数据手册

RGT30NS65D

650V 15A Field Stop Trench IGBT

Data Sheet

lOutline

LPDS / TO-262

V_CES

I_C(100°C)

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

15A

(2)

1.65V

133W

(1)

(3)

(1)(2)(3)

lFeatures

lInner Circuit

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) Low Switching Loss

(2)

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

3) Short Circuit Withstand Time 5μs

(1)

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

(RFN - Series)

*1 Built in FRD

(3)

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

lPackaging Specifications

Packaging

Taping / Tube

330 / -

lApplications

General Inverter

Reel Size (mm)

UPS

Tape Width (mm)

Type

24 / -

Power Conditioner

Welder

Basic Ordering Unit (pcs) 1,000 / 1,000

Packing code

Marking

TL / C9

RGT30NS65D

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

Unit

650

Gate - Emitter Voltage

30

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

Pulsed Collector Current

Diode Forward Current

Diode Pulsed Forward Current

Power Dissipation

I_CP

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

I_FP

T_C= 25°C

P_D

T_j

133

°C

T_C= 100°C

Operating Junction Temperature

-40 to +175

-55 to +175

T_stg

Storage Temperature

*1 Pulse width limited by T_jmax.

www.rohm.com

2015.11 - Rev.C

1/11

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