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RGF1K-HE3 PDF预览

RGF1K-HE3

更新时间： 2024-11-15 15:49:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 339K
描述
DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode

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RGF1K-HE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214BA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.06
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：DO-214BA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：0.5 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

RGF1K-HE3 数据手册

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RGF1A thru RGF1M  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount Glass Passivated Junction Fast  
Switching Rectifier  
®
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
1.0 A  
50 V to 1000 V  
30 A  
1.3 V  
*
trr  
150 ns, 250 ns, 500 ns  
175 °C  
d
e
t
n
e
Tj max.  
t
a
P
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by patent  
No. 3,996,602, brazed-lead  
DO-214BA (GF1)  
assembly by Patent No. 3,930,306  
and lead forming by Patent No. 5,151,846  
Features  
Mechanical Data  
• Superectifier structure for high reliability  
condition  
Case: DO-214BA, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Patented glass-plastic encapsulation technique  
• Ideal for automated placement  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
• Fast switching for high efficiency  
• Low leakage current  
Polarity: Two bands indicate cathode end - 1st band  
denotes device type and 2nd band denotes repetitive  
peak reverse voltage rating  
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Typical Applications  
For use in fast switching rectification of power supply,  
inverters, converters, and freewheeling diodes for  
consumer, automotive and Telecommunication  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Device marking code  
Symbol RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M Unit  
RA  
50  
RB  
RD  
RG  
RJ  
RK  
RM  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
V
V
V
A
35  
50  
70  
140  
200  
280  
400  
1.0  
420  
600  
560  
800  
700  
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward rectified current  
at TL = 120 °C  
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
30  
50  
A
Max. full load reverse current, full cycle average  
IR(AV)  
µA  
T
A = 55 °C  
Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG  
- 65 to + 175  
°C  
Document Number 88697  
10-Aug-05  
www.vishay.com  
1
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与RGF1K-HE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RGF1KHE3/17 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode
RGF1KHE3/5CA VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si
RGF1K-HE3/5CA VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si
RGF1KHE3/67A VISHAY

获取价格

 		SWITING 800V 1A 2PIN DO-214BA - Tape and Reel
RGF1K-HE3/67A VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si
RGF1KHE3_A/H VISHAY

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 		DIODE 800V SMD
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 		1.0 Amp MEGARECTIFIERS
RGF1M TAITRON

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 		1.0A Sintered Glass Passivated Fast Recovery Rectifier
RGF1M VISHAY

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RGF1M FAIRCHILD

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 		1.0 Ampere Fast Recovery Rectifiers

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