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RGF1M PDF预览

RGF1M

更新时间： 2024-10-14 22:43:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 101K
描述
1.0 Ampere Fast Recovery Rectifiers

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RGF1M 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-214
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.42
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：1.76 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.5 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

RGF1M 数据手册

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RGF1A - RGF1M  
Features  
• Glass passivated junction.  
• For surface mounted application.  
• Low forward voltage drop.  
• High current capability.  
0.181 (4.597)  
0.157 (3.988)  
0.062 (1.575)  
0.055 (1.397)  
0.114 (2.896)  
0.098 (2.489)  
2
1
• Easy pick and place.  
• High surge current capability.  
3.93  
3.73  
0.208 (5.283)  
0.188 (4.775)  
SMA/DO-214AC  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
1.67  
1.47  
+
0.096 (2.438)  
0.078 (1.981)  
2.38  
2.18  
5.49  
5.29  
0.008 (0.203)  
0.002 (0.051)  
0.012 (0.305)  
0.006 (0.152)  
0.060 (1.524)  
0.030 (0.762)  
Minimum Recommended  
Land Pattern  
1.0 Ampere Fast Recovery Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
@ TL = 125°C  
1.0  
A
Peak Forward Surge Current  
if(surge)  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient **  
30  
A
PD  
1.76  
11.7  
85  
W
mW/°C  
°C/W  
RθJA  
RθJL  
Tstg  
TJ  
Thermal Resistance, Junction to Lead**  
Storage Temperature Range  
28  
°C/W  
°C  
-65 to +175  
-65 to +175  
Operating Junction Temperature  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
**Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
1A  
50  
35  
50  
1B  
100  
70  
1D  
1G  
400  
280  
400  
1J  
1K  
1M  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
200  
140  
200  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
DC Reverse Voltage (Rated VR)  
Maximum Reverse Current  
100  
1000  
5.0  
100  
A
A
µ
µ
@ rated VR  
T = 25 C  
°
A
T = 125 C  
°
A
Maximum Forward Voltage @ 1.0 A  
1.3  
V
Maximum Reverse Recovery Time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
Typical Junction Capacitance  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
150  
250  
500  
nS  
pF  
8.5  
RGF1A-RGF1M, Rev. E  
1998 Fairchild Semiconductor International  
1234

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RGF1M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RS1M-13-F DIODES

功能相似

 1.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
GF1M TAITRON

功能相似

 1.0A Surface Mount Sintered Glass Passivated Rectifier
MRA4007T3 ONSEMI

功能相似

 Surface Mount Standard Recovery Power Rectifier

与RGF1M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RGF1M/17 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN
RGF1M/17-HE3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode
RGF1M/19-HE3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode
RGF1M-7000HE3/5CA VISHAY

获取价格

 		DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
RGF1MA TAITRON

获取价格

 		1.0A Sintered Glass Passivated Fast Recovery Rectifier
RGF1M-E3/67A VISHAY

获取价格

 		Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R
RGF1M-HE3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal
RGF1MHE3/17 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode
RGF1MHE3/19 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode
RGF1MHE3/5CA VISHAY

获取价格

 		DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

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