RGF1M

更新时间： 2024-11-15 09:49:55

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描述
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS

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RGF1M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RGF1M 数据手册

SURFACE MOUNT

FAST RECOVERY RECTIFIERS

RGF1A - RGF1M

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

SMA (DO-214AC)

1.1 ± 0.3

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Fast switching for high efficiency

* Pb / RoHS Free

0.2

0.07

1.2 ± 0.2

2.1 ± 0.2

2.6 ± 0.15

2.0 ± 0.2

MECHANICAL DATA :

* Case : SMA Molded plastic

Dimensions in millimeter

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Lead Formed for Surface Mount

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.21 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specifie.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load

For capacitive load, derate current by 20%

RATING

SYMBOL RGF1ARGF1BRGF1DRGF1G RGF1J RGF1KRGF1M UNIT

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100 200 400 600 800 1000

70 140 280 420 560 700

Maximum DC Blocking Voltage

100 200 400 600 800 1000

1.0

Maximum Average Forward Current T_L= 125 °C

Peak Forward Surge Current,

IF(AV)

IFSM

8.3ms Single half sine wave Superimposed

on rated load (JEDEC Method)

Maximum Peak Forward Voltage at IF = 1.0 A

1.3

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Ta = 25 °C

μA

IR(H)

Trr

100

Ta = 125 °C

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)

Total Capacitance (Note 2)

150

250

500

8.5

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 65 to + 175

°C

TSTG

Notes :

( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions :FI= 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.

( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0DVC

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

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RGF1M 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RS1MB-13-F	DIODES	功能相似	1.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
RS1M-13-F	DIODES	功能相似	1.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
STTH110A	STMICROELECTRONICS	功能相似	HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER

与RGF1M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RGF1M/17	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN
RGF1M/17-HE3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode
RGF1M/19-HE3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode
RGF1M-7000HE3/5CA	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
RGF1MA	TAITRON	获取价格	1.0A Sintered Glass Passivated Fast Recovery Rectifier
RGF1M-E3/67A	VISHAY	获取价格	Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R
RGF1M-HE3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal
RGF1MHE3/17	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode
RGF1MHE3/19	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode
RGF1MHE3/5CA	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

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