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RFN10T2D

更新时间： 2024-11-23 12:20:39

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罗姆 - ROHM		二极管超快速恢复二极管
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描述
Super Fast Recovery Diode

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RFN10T2D 数据手册

Data Sheet

Super Fast Recovery Diode

RFN10T2D

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Structure

General rectification

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

Features

1)Cathode common Dual type. (TO-220)

2)Low V_F

3)Low switching loss

RFN10

T2D

①

1.2

Construction

1.3

0.8

Silicon epitaxial planer

(1) (2) (3)

0.7±0.1

0.05

2.6±0.5

ROHM : TO220FN

dot (year week factory)

①

Absolute maximum ratings (Tc=25C)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Duty≤0.5

Symbol

V_RM

Limits

Unit

200

V_R

Direct voltage

60Hz half sin wave, Resistance load,

Average rectified forward current

Forward current surge peak

Tc=122°C

1/2Io at per diode

60Hz half sin wave, Non-repetitive

one cycle peak value, Tj=25°C

I_FSM

Junction temperature

Storage temperature

150

C

Tstg

55 to 150

Electrical characteristics (Tj=25C)

Parameter

Conditions

I_F=5A

Symbol

V_F

Min.

－

Typ.

0.90

0.01

Max.

0.98

Unit

Forward voltage

V_R=200V

Reverse current

Reverse recovery time

Thermal Resistance

* per diode

I_R

－

μA

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

junction to case

trr

－

Rth(j-c)

－

2.5

°C/W

www.rohm.com

2011.12 - Rev.A

1/4

12 3 4 5

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