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RFN10T2DNZ

更新时间： 2024-11-24 11:08:15

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罗姆 - ROHM		快速恢复二极管
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7页	1303K
描述
RFN10T2DNZ是低VF的一般整流用快速恢复二极管。

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RFN10T2DNZ 数据手册

Super Fast Recovery Diode

Datasheet

RFN10T2DNZ

Series

Dimensions (Unit : mm)

Structure

Standard Fast Recovery

0.3

0.1

4.5±

0.3

0.1

10.0±

0.2

0.1

߶3.2±0.2

2.8±

Applications

General rectification

(1)

(2)

Cathode

(3)

Anode

①

1.2

Features

1.3

0.8

2.6±0.5

1) Cathode common dual type

Low V_F

(1) (2) (3)

0.1

0.75± _0.05

2.54±0.5 2.54±0.5

3) Low switching loss

ROHM : TO-220FN

: Manufacture Date

①

Construction

Packing (Unit : mm)

540

Silicon epitaxial planar type

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

200

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct reverse voltage

60Hz half sin wave, resistive load,

1/2I_Oper diode

Average current

60Hz half sin wave,one cycle

I_FSM

T_j

Non-repetitive forward surge current

Operating junction temperature

Storage temperature

non-repetitive at T_j=25°C, per diode

150

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical Characteristics (T_j= 25°C, per diode)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=5A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.90 0.98

V_R=200V

I_R

Reverse current

μA

I_F=0.5A, I_R=1A, Irr=0.25×I_R

Junction to case

Reverse recovery time

Thermal resistance

trr

R_th(j-c)

2.5 °C/W

www.rohm.com

2018.01 - Rev.A

1/4

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