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RFN1L6STE25

更新时间： 2024-02-02 19:08:32

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罗姆 - ROHM		二极管超快速恢复二极管
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5页	520K
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Super Fast Recovery Diode

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RFN1L6STE25 数据手册

Data Sheet

Super Fast Recovery Diode

RFN1L6S

Series

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

Standard Fast Recovery

2.0

2.6±0.2

Applications

General rectification

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

①

②

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

Features

1)Small power mold type.（PMDS）

2)Low switching loss

Structure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

3)Low forward voltage

①

②

Manufacture date

Construction

Taping dimensions (Unit : mm)

Silicon epitaxial planer

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

Absolute maximum ratings (TI=25C)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Symbol

V_RM

Limits

600

Unit

D≤0.5

V_R

Direct voltage

600

Glass epoxy substrate mounted

R-road, 60Hz half sin wave

Average rectified forward current

Forward current surge peak

Tl=115°C

0.8

60Hz half sin wave, Non-repetitive

one cycle peak value, Tj=25°C

I_FSM

Junction temperature

Storage temperature

150

C

Tstg

55 to 150

Electrical characteristics (Tj=25C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=0.8A

Symbol

Min.

－

Typ.

1.15

0.01

Max.

1.45

Unit

V_F

I_R

V_R=600V

Reverse current

－

μA

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

junction to lead

Reverse recovery time

Thermal resistance

trr

－

Rth(j-l)

－

°C/W

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

1/4

12 3 4 5

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