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RFN1VWM2S

更新时间： 2024-11-20 11:08:11

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	1564K
描述
RFN1VWM2S是trr（高频工作时的重要参数）非常出色的二极管。该产品用小型PMDE封装实现了与ROHM以往产品同等的电气特性。PMDE是可靠性高、散热性能优异的封装形式。

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RFN1VWM2S 数据手册

RFN1VWM2S

Ultra Fast Recovery Diode

Data sheet

●Outline

200

FSM

rr(Typ.)

●Features

●Inner Circuit

Low forward voltage

Low switching loss

High current overload capacity

●Application

●Packaging Specifications

General rectification

Packing

Reel Size(mm)

Taping Width(mm)

Quantity(pcs)

Taping Code

Marking

Embossed Tape

180

3000

●Structure

Silicon epitaxial planar

(T =25℃ unless otherwise specified)

●Absolute Maximum Ratings

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Symbol

Conditions

Duty≦0.5

Reverse direct voltage

Limits

200

Unit

60Hzhalf sin waveform

T =148℃

Average rectified forward current

Peak forward surge current

resistive load

60Hzhalf sin waveform,

FSM

Non-repetitive,T=25℃

stg

Junction temperature

Storage temperature

175

-55 ～ 175

℃

(T =25℃ unless otherwise specified)

●Electrical Characteristics

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

ｊ

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

I =1A

0.75 0.85 0.93

Reverse current

V =200V

μA

Reverse recoverytime

I =0.5A, I =1.0A, I =0.25xI

www.rohm.com

1/5

2022/01/24_Rev.001

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