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RFN1LAM6S

更新时间： 2024-09-30 11:08:19

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
7页	690K
描述
RFN1LAM6S是适合一般整流用途的快速恢复二极管。

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RFN1LAM6S 数据手册

Super Fast Recovery Diode

Datasheet

RFN1LAM6S

lSeries

lDimensions (Unit : mm)

lLand Size Figure (Unit : mm)

Standard Fast Recovery

0.10

0.05

2.0

0.17±

2.50±0.20

(1)

lApplications

General rectification

PMDTM

lFeatures

lStructure

Cathode

(2)

1.50±0.20

1) Low forward voltage

0.95±0.10

ROHM : PMDTM

JEDEC : SOD-128

2) Low switching loss

: Manufacture Date

Anode

lTaping Dimensions (Unit : mm)

lConstruction

Silicon epitaxial planar type

lAbsolute Maximum Ratings (T_l= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Duty≦0.5

Limits

600

0.8

Unit

V_RM

V_R

I_o

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct reverse voltage

Glass epoxy board mounted,

60Hz half sin wave, resistive load

60Hz half sin wave,

T_ｌ=115°C

Average forward rectified current

Non-repetitive forward surge current

Junction temperature

I_FSM

T_j

non-repetitive at T_j=25ºC

150

°C

T_stg

Storage temperature

-55 to +150 °C

lElectrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=0.8A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.8 1.15 1.45

V_R=600V

I_R

Reverse current

I_F=0.5A, I_R=1A, Irr=0.25×I_R

Junction to lead

Reverse recovery time

Thermal resistance

trr

R_th(j-l)

25 °C/W

www.rohm.com

2017.04 - Rev.B

1/4

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