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RFN20NS4SFHTL

更新时间： 2024-01-13 01:34:31

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
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7页	918K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 20A, 430V V(RRM),

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RFN20NS4SFHTL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.7	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.55 V	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	20 A	最大重复峰值反向电压：	430 V
最大反向恢复时间：	0.03 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

RFN20NS4SFHTL 数据手册

Data Sheet

AEC-Q101 Qualified

Super Fast Recovery Diode

RFN20NS4SFH

ꢀSerise

ꢀDimensions(Unit : mm)

ꢀLand Size Figure(Unit : mm)

Standard Fast Recovery

ꢀApplications

RFN20

NS4S

General rectification

ձꢀ

ꢀFeatures

LPDS

1)Low switching loss

2)High current overload capacity

ꢀ

Structure

ROHM : LPDS

JEITA : TO263S

ձꢀ

ꢀConstruction

Manufacture Date

Silicon epitaxial planer type

ꢀTaping Dimensions(Unit : mm)

ꢀAbsolute Maximum Ratings(Tc=25°C)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Duty䍺0.5

Limits

Symbol

V_RM

Unit

430

V_R

Direct voltage

Average rectified foward current

Forward current surge peak

Junction temperature

60Hz half sin wave , Resistive load

60Hz half sin wave , Non-repetitive at Tj=25°C ^(*1)

Tc=30°C

I_FSM

100

150

°C

Storage temperature

ꢀ55 to ꢁꢂ150

Tstg

(*1) 1-3pin common circuit

ꢀElectrical Characteristics(Tj=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=20A

Min.

䠉

Typ.

1.3

0.05

Max.

1.55

Symbol

V_F

Unit

Forward voltage

V_R=430V

I_R

䠉

Reverse current

μA

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

Junction to case

䠉

Reverse recovery time

Thermal resistance

trr

䠉

3.0

Rth(j-c)

°C/W

WWWꢀROHMꢀCOM

Ú ꢁꢂꢃꢁ 2/(- #Oꢀꢄ ,TDꢀ !LL RIGHTS RESERVEDꢀ

1/4

2012.06 - Rev.A

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RFN20T2DHZC9	ROHM	获取价格	Rectifier Diode,
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