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RFN20T2DHZC9

更新时间： 2024-01-19 17:47:36

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1324K
描述
Rectifier Diode,

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RFN20T2DHZC9 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：	1

RFN20T2DHZC9 数据手册

Super Fast Recovery Diode

Datasheet

RFN20T2DHZ

AEC-Q101 Qualified

Series

Dimensions (Unit : mm)

Structure

Standard Fast Recovery

0.3

0.1

4.5±

0.3

0.1

10.0±

0.2

0.1

߶3.2±0.2

2.8±

Applications

General rectification

(1)

(2)

(3)

Anode

Cathode

Anode

①

1.2

Features

1.3

0.8

2.6±0.5

1) Cathode common dual type

Low V_F

(1) (2) (3)

0.1

0.75± _0.05

2.54±0.5 2.54±0.5

3) Low switching loss

ROHM : TO-220FN

: Manufacture Date

①

Construction

Packing (Unit : mm)

540

Silicon epitaxial planar type

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

200

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct reverse voltage

60Hz half sin wave, resistive load,

1/2I_Oper diode

T_c=95°C

Average current

60Hz half sin wave,one cycle

I_FSM

T_j

Non-repetitive forward surge current

Operating junction temperature

Storage temperature

100

150

non-repetitive at T_j=25°C, per diode

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical Characteristics (T_j= 25°C, per diode)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=10A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.90 0.98

V_R=200V

I_R

Reverse current

μA

I_F=0.5A, I_R=1A, Irr=0.25×I_R

Junction to case

Reverse recovery time

Thermal resistance

trr

R_th(j-c)

2.0 °C/W

www.rohm.com

2018.01 - Rev.A

1/4

12 3 4 5 6 7

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