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RFN20TJ6SFHGC9

更新时间： 2024-09-30 19:10:19

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罗姆 - ROHM		超快速恢复二极管局域网测试
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Rectifier Diode,

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RFN20TJ6SFHGC9 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-220ACFP, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	2.07
应用：	SUPER FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.55 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.14 µs	反向测试电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

RFN20TJ6SFHGC9 数据手册

Super Fast Recovery Diode

Datasheet

RFN20TJ6SFHG

AEC-Q101 Qualified

Series

Dimensions (Unit : mm)

Structure

4.5±0.1

2.6±0.1

3.1±0.1

Standard Fast Recovery

10.2±0.2

Application

General rectification

Anode

Cathode

RFN20

TJ6S

Features

2.6±0.1

1) Low forward voltage

2) Low switching loss

3) High current overload capacity

1.4±0.2

0.6±0.1

2.54±0.1

5.08±0.1

ROHM : TO220ACFP

0.83±0.1

Construction

Silicon epitaxial planar type

: Manufacture year, week,day, package code

: Serial number

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Direct reverse voltage

60Hz half sin wave , resistive load

600

T_c=50°C

Average current

60Hz half sin wave, one cycle, non-repetitive at T_j=25°C

Non-repetitive forward surge current I_FSM

150

T_j

Operating junction temperature

Storage temperature

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

T_j=25°C

T_j=125°C

T_j=25°C

T_j=125°C

1.0 1.25 1.55

I_F=20A

Forward voltage

1.1

0.1

200

140

A

I_R

V_R=600V

Reverse current

I_F=0.5A, I_R=1A, Irr=0.25×I_R

I_F=20A, V_R=400V, dI_F/dt=100A/s

I_F=20A, dI_F/dt=100A/s,

V_FR=1.1xV_Fmax

300

3.2

Reverse recovery time

trr

Forward recovery time

tfr

V_Fp

Forward recovery voltage

R_th(j-a)

R_th(j-c)

Junction to ambient

7.5 °C/W

2.5 °C/W

Thermal resistance

Junction to case

www.rohm.com

2017.11 - Rev.A

1/5

12 3 4 5 6 7 8

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