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RFN1L6SDD

更新时间: 2024-11-24 11:12:27
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罗姆 - ROHM 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 660K
描述
车载快速恢复二极管与通用品共用数据表。下订单时,请注意下列型号命名方式,编写为车载型号。

RFN1L6SDD 数据手册

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Super Fast Recovery Diode  
Datasheet  
RFN1L6SDD  
AEC-Q101 Qualified  
Series  
Dimensions (Unit : mm)  
Land Size Figure (Unit : mm)  
2.0  
Standard Fast Recovery  
Application  
General rectification  
PMDS  
Features  
Cathode  
1) Low forward voltage  
Structure  
2) Low switching loss  
Anode  
Construction  
Taping Dimensions (Unit : mm)  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
Silicon epitaxial planar type  
0.3  
1.55±0.05  
1.55  
2.9±0.1  
4.0±0.1  
2.8MAX  
Absolute Maximum Ratings (Tl= 25°C)  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Symbol  
Conditions  
Limits  
600  
600  
0.8  
Unit  
VRM  
VR  
Io  
Duty0.5  
V
V
Direct voltage  
On glass epoxy substrate,  
60Hz half sin wave , Resistive load  
Tl=115ºC  
Average current  
A
60Hz half sin wave, Non-repetitive at Tj=25ºC  
IFSM  
Tj  
Non-repetitive forward surge current  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
15  
A
-
-
150  
°C  
Tstg  
55 to 150 °C  
Electrical Characteristics (Tj= 25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
IF=0.8A  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
-
-
-
-
1.15 1.45  
V
VR=600V  
IR  
Reverse current  
0.01  
25  
-
1
A  
ns  
IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25×IR  
Junction to Lead  
Reverse recovery time  
Thermal resistance  
trr  
35  
Rth(j-l)  
23 °C/W  
www.rohm.com  
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2015.10 - Rev.A  
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