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RFN10TB4SNZ

更新时间： 2023-09-03 20:40:05

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1316K
描述
RFN10TB4SNZ是低VF的一般整流用快速恢复二极管。

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RFN10TB4SNZ 数据手册

Super Fast Recovery Diode

Datasheet

RFN10TB4SNZ

Series

Dimensions (Unit : mm)

Structure

0.3

Standard Fast Recovery

4.5±

0.1

0.3

0.1

10.0±

0.2

0.1

2.8±

φ3.2±0.2

Applications

(1)

Cathode

(2)

Anode

General rectification

①

Features

1.2

2.6±0.5

1) Low switching loss

1.3

0.8

High current overload capacity

(1)

(3)

0.75±^0.1

0.05

2.54±0.5 2.54±0.5

ROHM : TO-220FN

: Manufacture Date

①

Construction

Packing (Unit : mm)

540

Silicon epitaxial planar type

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Duty≦0.5

Limits

430

Unit

V_RM

V_R

I_o

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct reverse voltage

430

T_c=100°C

60Hz half sin wave, resistive load,

Average current

60Hz half sin wave,one cycle

non-repetitive at T_j=25°C

I_FSM

T_j

Non-repetitive forward surge current

Operating junction temperature

Storage temperature

150

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=10A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

1.2 1.55

V_R=430V

I_R

Reverse current

μA

I_F=0.5A, I_R=1A, Irr=0.25×I_R

Junction to case

Reverse recovery time

Thermal resistance

trr

R_th(j-c)

3.0 °C/W

www.rohm.com

2018.12 - Rev.B

1/4

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