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RD48F3000P0ZTQ0

更新时间： 2024-01-19 12:41:55

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英特尔 - INTEL		存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
102页	1616K
描述
Intel StrataFlash Embedded Memory

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RD48F3000P0ZTQ0 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-88	针数：	88
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.77
最长访问时间：	88 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
长度：	10 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	88
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

RD48F3000P0ZTQ0 数据手册

Intel StrataFlash Embedded Memory

(P30)

1-Gbit P30 Family

Datasheet

Product Features

■ High performance

■ Security

— One-Time Programmable Registers:

— 85/88 ns initial access

• 64 unique factory device identifier bits

• 64 user-programmable OTP bits

• Additional 2048 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP Space in Main Array:

• 4x32KB parameter blocks + 3x128KB main

blocks (top or bottom configuration)

— Absolute write protection: V_PP= V_SS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

— 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode

— Buffered Enhanced Factory Programming

(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)

— 1.8 V buffered programming at 7 µs/byte (Typ)

■ Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density

at Lowest Cost

■ Software

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Intel^®Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Command

Set compatible

— 128-KByte main blocks

■ Voltage and Power

— V_CC(core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

— V_CCQ(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

— Standby current: 55 µA (Typ) for 256-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

13 mA (Typ) at 40 MHz

— Common Flash Interface capable

■ Density and Packaging

— 64/128/256-Mbit densities in 56-Lead TSOP

package

— 64/128/256/512-Mbit densities in 64-Ball

Intel® Easy BGA package

— 64/128/256/512-Mbit and 1-Gbit densities in

Intel® QUAD+ SCSP

■ Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

• 1-Gbit in SCSP is –30 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology (130 nm)

— 16-bit wide data bus

The Intel StrataFlash^®Embedded Memory (P30) product is the latest generation of Intel

StrataFlash^®memory devices. Offered in 64-Mbit up through 1-Gbit densities, the P30 device

brings reliable, two-bit-per-cell storage technology to the embedded flash market segment.

Benefits include more density in less space, high-speed interface, lowest cost-per-bit NOR

device, and support for code and data storage. Features include high-performance synchronous-

burst read mode, fast asynchronous access times, low power, flexible security options, and three

industry standard package choices.

The P30 product family is manufactured using Intel^®130 nm ETOX™ VIII process technology.

Order Number: 306666, Revision: 001

April 2005

12 3 4 5 6 7...102

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PF48F3000P0ZBQ0	INTEL	功能相似	Intel StrataFlash Embedded Memory

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD48F3000P0ZTQ0A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RD48F3000P0ZTQEA	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 65nm, Single Bit Per Cell, Parallel NOR Flash
RD48F3000W0YBQ0	NUMONYX	获取价格	Flash, 8MX16, 60ns, PBGA88, 10 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-88
RD48F3000W0YCQ0	NUMONYX	获取价格	Flash, 8MX16, 60ns, PBGA88,
RD48F3000W0YUQ0	NUMONYX	获取价格	Flash, 8MX16, 60ns, PBGA88,
RD48F3300L0YBQ0	NUMONYX	获取价格	Memory IC,
RD48F3300L0YTQ0	NUMONYX	获取价格	Memory IC,
RD48F3P0VB00	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F3P0VBQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F3P0VT00	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory

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