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RD48F3000W0YCQ0

更新时间： 2024-11-14 20:08:19

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
90页	1196K
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Flash, 8MX16, 60ns, PBGA88,

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RD48F3000W0YCQ0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FBGA, BGA88,8X12,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最长访问时间：	60 ns
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B88	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	8, 255	端子数量：	88
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA88,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小：	4 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
部门规模：	4K,32K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

RD48F3000W0YCQ0 数据手册

Numonyx™ Wireless Flash Memory (W18)

with AD Multiplexed IO

Datasheet

Product Features

High Performance Read-While-Write/Erase

— Burst frequency at 66 MHz

Security

— 128 bit Protection Register

— 64 Unique Bits Programmed by Numonyx

— 64 User-Programmable Bits

— Absolute Write Protection with V_PPat

Ground

— Individual and Instantaneous Block

Locking/Unlocking with Lock-Down

Capability

— 60 ns Initial Access Read Speed

— 11 ns Burst-Mode Read Speed

— 20 ns Page-Mode Read Speed

— 4-, 8-, 16-, and Continuous-Word Burst

Mode Reads

— Burst and Page Mode Reads in all Blocks,

across all partition boundaries

— Burst Suspend Feature

Software

— 5 µs (typ.) Program and Erase Suspend

Latency Time

— Enhanced Factory Programming at

3.1 µs/word (typ. for 0.13 µm)

— Numonyx™ Flash Data Integrator

(Numonyx™ FDI) and Common Flash

Interface Compatible

Architecture

— Multiple 4 Mbit Partitions

— Dual Operation: Read-while-Write and

Read-while-Erase

— 8 KB parameter blocks

— 64 KB main blocks

— Top or Bottom Parameter Configurations

— 16 bit wide data bus

— Programmable WAIT Signal Polarity

Quality and Reliability

— Temperature Range: –40 °C to +85 °C

— 100k Erase Cycles per Block

— 130 nm ETOX™ VIII Process

— 90 nm ETOX™ IX Process

—

— Multiplexed Address data bus

Power

Density and Package Ballout

— 130 nm: 32-, 64-, and 128-Mbit

— 90 nm: 32-, 64-Mbit

— V_CC= 1.70 V to 1.95 V

— V_CCQ= 1.70 V to 2.24 V or 1.35 V to 1.80 V

— Standby current (0.13 µm): 8 µA (typ.)

— Read current: 7 mA (typ.)

— 44-ball VF BGA

— 88-ball QUAD+

Order Number: 313272-06

November 2007

12 3 4 5 6 7...90

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