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RD48F4000L0YUQ0

更新时间： 2024-01-13 08:06:46

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
98页	1152K
描述
Flash, 16MX16, 85ns, PBGA88,

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RD48F4000L0YUQ0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA88,8X12,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最长访问时间：	85 ns
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B88	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	4,255	端子数量：	88
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA88,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.00011 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

RD48F4000L0YUQ0 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Wireless Memory

(L18) with AD-Multiplexed I/O

Datasheet

Product Features

High performance Read-While-Write/Erase

Power

— 1.7 V to 2.0 V V_CCoperation

— 85 ns initial access

— 54MHz with zero wait state, 14 ns clock-to-

data output synchronous-burst mode

— I/O voltage: 1.35 V – 2.0 V, 1.7 V– 2.0 V

— Standby current: 25 µA (Typ) for 256-Mbit

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst

mode

— Burst suspend

— 4-Word synchronous read current: 15 mA

(Typ) @ 54 MHz

— Automatic Power Savings (APS) mode

— Programmable WAIT configuration

Security

— Buffered Enhanced Factory Programming

(Buffered EFP): 5 µs/byte (Typ)

— 1.8 V low-power buffered and non-buffered

programming @ 7 µs/byte (Typ)

— OTP space:

• 64 unique device identifier bits

• 64 user-programmable OTP bits

• Additional 2048 user-programmable OTP

bits

Architecture

— Absolute write protection: V_PP= GND

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

— Asymmetrically-blocked architecture

— Multiple 8-Mbit partitions: 64Mb and 128Mb

devices

— Multiple 16-Mbit partitions: 256Mb devices

— Four 16-KWord parameter blocks: top

configuration

— 64-KWord main blocks

Software

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Dual-operation: Read-While-Write (RWW)

or Read-While-Erase (RWE)

— Intel® Flash Data Integrator (FDI)

optimized

— Status register for partition and device

status

Density and Packaging

— Basic Command Set (BCS) and Extended

Command Set (ECS) compatible

— Common Flash Interface (CFI) capable

Quality and Reliability

— 64-, 128-, and 256 Mbit density in VF BGA

package

— 16-bit wide data bus

— Expanded temperature: –25° C to +85° C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— Intel ETOX* VIII process technology (0.13

µm)

313295-04

November 2007

12 3 4 5 6 7...98

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