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RB751S-40FH

更新时间: 2024-11-17 19:50:59
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 855K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM), Silicon, SC-79, 2 PIN

RB751S-40FH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.64其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.03 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:40 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RB751S-40FH 数据手册

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Data Sheet  
AEC-Q101 Qualified  
Schottky barrier diode  
RB751S-40FH  
Applications  
Dimensions(Unit : mm)  
Land size figure(Unit : mm)  
Low current rectification  
0.8±0.05  
0.12±0.05  
0.8  
Features  
1) Ultra small mold type. (EMD2)  
2) Low VF  
3) High reliability  
EMD2  
Construction  
Silicon epitaxial planar  
Structure  
0.3±0.05  
0.6±0.1  
ROHM : EMD2  
JEDEC :SOD-523  
JEITA : SC-79  
dot (year week factory)  
Taping specifications(Unit : mm)  
0.2±0.05  
φ1.5±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
φ1.55±0.05  
0.2  
φ0.5  
4.0±0.1  
2.0±0.05  
0.90±0.05  
Empty pocket  
0.75±0.05  
Absolute maximum ratings(Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
40  
30  
V
Average retified forward current  
Forward currnt surge peak(60Hz/1cyc)  
Junction temperature  
30  
Io  
mA  
mA  
°C  
°C  
IFSM  
Tj  
200  
125  
Storage temperature  
-40 to +125  
Tstg  
Electrical characteristics(Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
VF  
IR  
Forward voltage  
-
-
-
-
-
0.37  
0.5  
-
IF=1mA  
VR=30V  
Reverse current  
μA  
pF  
Capacitance between terminals  
VR=1V , f=1MHz  
Ct  
2
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/3  
2011.03 - Rev.C  

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