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RB715W

更新时间： 2024-11-19 14:54:19

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先科 - SWST		肖特基二极管
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肖特基二极管

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RB715W 数据手册

RB715W

Surface Mount Schottky Barrier Diode

Features

• Low current rectification

1.Anode 2.Anode 3.Cathode

SOT-323 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RM

V_R

Average Rectified Forward Current

Peak Forward Surge Current (t = 8.3 ms )

Junction Temperature

I_F(AV)

I_FSM

T_j

℃

200

125

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 125

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_(BR)R

V_F

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 10 µA

Forward Voltage

at I_F= 1 mA

0.37

Reverse Current

at V_R= 10 V

I_R

µA

Capacitance between Terminals

at V_R= 1 V, f = 1 MHz

C_t

1 / 3

Dated：26/07/2023 Rev: 04

12 3

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