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RB715Z

更新时间: 2024-11-17 22:24:23
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罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 221K
描述
Schottky barrier diode

RB715Z 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.62Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.37 VJESD-30 代码:R-PDSO-F3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:0.2 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最大输出电流:0.03 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB715Z 数据手册

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RB715Z  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB715Z  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
General rectification  
1.2±0.1  
0.4  
0.13±0.05  
0.32±0.05  
(3)  
zFeatures  
1) Extra small power mold type.  
(VMD3)  
0~0.1  
0.4  
0.5  
(1)  
(2)  
0.22±0.05  
0.22±0.05  
0.5±0.05  
0.4  
0.4  
2) Low VF  
0.8±0.05  
0.8  
VMD3  
3) High reliability  
zStructure  
ROHM : VMD3  
dot (year week factory)  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
φ1.55±0.1  
0.3±0.1  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.05  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
4.0±0.1  
φ1.0±0.2  
1.40±0.1  
0
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
1.0±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
VRM  
40  
30  
V
R
V
Average rectified forward current  
I
O
30  
mA  
mA  
°C  
°C  
Forward current surge peak (60Hz 1cyc.)  
Junction temperature  
I
FSM  
200  
Tj  
125  
Storage temperature  
Tstg  
40 to +125  
Rating of per diode  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Reverse current  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.37  
0.5  
Unit  
V
Conditions  
VF  
I
F
=1mA  
=30V  
I
R
µA  
V
R
1/3  

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