RB715Z

更新时间： 2024-09-23 22:24:23

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管
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4页	221K
描述
Schottky barrier diode

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RB715Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.37 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	0.2 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.03 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

RB715Z 数据手册

RB715Z

Diodes

Schottky barrier diode

RB715Z

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure

General rectification

1.2±0.1

0.4

0.13±0.05

0.32±0.05

(3)

zFeatures

1) Extra small power mold type.

(VMD3)

0～0.1

0.4

0.5

(1)

(2)

0.22±0.05

0.5±0.05

0.4

2) Low V^F

0.8±0.05

0.8

VMD3

3) High reliability

zStructure

ROHM : VMD3

dot (year week factory)

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.1

0.3±0.1

2.0±0.05

4.0±0.1

0.05

ꢀꢀꢀꢀꢀ

4.0±0.1

φ1.0±0.2

1.40±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1.0±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

VRM

∗

Average rectified forward current

°C

∗

Forward current surge peak (60Hz 1cyc.)

Junction temperature

FSM

200

125

Storage temperature

Tstg

−40 to +125

∗ Rating of per diode

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

−

Typ.

−

Max.

0.37

0.5

Unit

Conditions

=1mA

=30V

−

µA

1/3

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RB715Z_08	ROHM	获取价格	Schottky barrier diode
RB715ZT2L	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, VMD3, 3
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