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RB721Q-40

更新时间: 2024-10-29 02:54:59
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罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 160K
描述
Schottky barrier diode

RB721Q-40 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.72
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.37 V
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e1最大非重复峰值正向电流:0.2 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.03 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:40 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

RB721Q-40 数据手册

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RB721Q-40  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB721Q-40  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplications  
Low current rectification  
TYPE NO. (BLACK)  
CATHODE BAND (BLACK)  
φ0.4±0.1  
zFeatures  
S
2
1) Glass sealed envelope. (MSD)  
-
2) Low VF, Low I  
R
2.7±0.3  
29±1  
29±1  
3) High reliability  
φ1.8±0.2  
ROHM : MSD  
JEDEC : DO-34  
zTaping specification s (Unit : mm)  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
IVORY  
A
H2  
Standard dimension  
H2  
Mark  
value (mm)  
BLUE  
E
I
T-72 52.4±1.5  
T-77 26.0+0.4  
'-0  
B
5.0±0.5  
0.5MAX  
0
C
50.4±0.4  
0.3MAX  
0.1MIN  
0MIN  
G1  
G2  
H1  
H2  
I
6.0±0.5  
5.0±0.5  
0.5MAX  
0.6MAX  
3.2MIN  
L2  
L1  
L1-L2  
t
F
D
H1  
H1  
*H2(6mm):BROWN  
G1  
G2  
t
cf : cumulative pitch tolerance with 20 pitch than ±1.5mm  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
40  
40  
V
V
Average rectified forward current  
Forward current surge peak 60Hz1cyc)  
Junction temperature  
30  
200  
125  
Io  
IFSM  
Tj  
mA  
mA  
Storage temperature  
-40 to +125  
Tstg  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.37  
0.5  
-
Unit  
V
VF  
IR  
IF=1mA  
-
-
-
-
-
Reverse current  
VR=25V  
µA  
pF  
Capacitance between terminals  
VR=1V , f=1MHz  
Ct  
2.0  
Rev.A  
1/3  

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