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RB721Q_11

更新时间： 2024-10-29 12:26:39

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乐山 - LRC		二极管开关
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4页	52K
描述
Schottky barrier diode Glass silicon switching diodes

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RB721Q_11 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Schottky barrier diode

RB721Q

. 300mW DO-34

. Glass silicon switching diodes

. We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

Product Characteristic

Absolute Maximum Ratings(Ta=25°C)

TYPE

VRM(V)

VR(V)

I_FSM(mA)

200

IO(mA)

P(mW)

300

RB721Q

Characteristics at Tj=25°C

Symbol

Min.

——

Typ.

——

Max.

0.37

Unit

Forward Voltage

Leakage Current at VR = 10 V

Capacitance at VR = 1V f =1MHZ

at IF = 1 mA

——

μA

Reverse Recovery Time form I_R=I_F= 10 mA

100Ω,

RL =

trr

——

1/3

12 3 4

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