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RB721Q-40

更新时间： 2024-01-29 03:02:17

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美台 - DIODES		肖特基二极管
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3页	73K
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Schottky barrier diode

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RB721Q-40 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	DO-35, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.03 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB721Q-40 数据手册

RB721Q-40

Diodes

Schottky barrier diode

RB721Q-40

!Applications

High speed switching

!External dimensions (Units : mm)

CATHODE BAND (BLACK)

φ0.4 0.1

!Features

1) Glass-sealed envelope for high reliability. (MSD)

2) Small pitch enables insertion on PCBs.

3) Low V^Fand low IR.

φ1.8 0.2

2.7 0.3

29 1

ROHM : MSD

EIAJ : −

JEDEC : DO-34

!Construction

Silicon epitaxial planar

Product identification number

−

is stamped on body of main unit.

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

Mean rectifying current

Peak forward surge current

Junction temperature

Storage temperature

∗ 60 Hz for 1

Symbol

Limits

Unit

°C

∗

FSM

200

125

Tstg

−40~+125

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

−

Max.

0.37

0.5

−

Unit

Conditions

Forward voltage

−

IF=1mA

Reverse current

−

µA

VR=25V

Capacitance between terminals

Note) ESD sensitive product handling required.

C^T

2.0

VR=1V, f=1MHz

12 3

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