RB715WFH

更新时间： 2024-01-14 13:45:37

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管
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RB715WFH 数据手册

RB715F

Diodes

Shottky barrier diode

RB715F

zApplication

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLead size figure (Unit : mm)

Low current rectification

1.3

zFeatures

2.0±0.2

0.3±0.1

1) Small mold type. (UMD3)

各リードとも

同寸法

Each lead has same dimension

0.15±0.05

0.65

2) Low V

(3)

3) High reliability.

0.8MIN.

UMD3

0～0.1

(2)

(1)

（0.65）

zConstruction

Silicon epitaxial planer

zStructure

0.7±0.1

0.9±0.1

1.3±0.1

ROHM : UMD3

JEDEC : SOT-323

JEITA : SC-70

dot (year week factory)

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

2.25±0.1

ꢀꢀꢀꢀ 0

φ0.5±0.05

4.0±0.1

1.25±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current

I_FSM

℃

Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*1)

Junction temperature

200

125

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

℃

(*1)Rating of per diode

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_F

I_R

0.37

IF=1mA

Reverse current

µA

VR=10V

Capacitance between terminals

VR=1V f=1MHz

2.0

Rev.B

1/3

12 3 4

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