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RB715F

更新时间： 2024-11-18 09:37:51

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金誉半导体 - HTSEMI		肖特基二极管
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SCHOTTKY BARRIER DIODE

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RB715F 数据手册

RB715F

SCHOTTKY BARRIER DIODE

SOT-323

FEATURES:

Extra small power mold type.

Low VF

High reliability

MARKING: 3D

Maximum Ratings @T_A=25 ℃

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Limits

Unit

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

Peak forward surge current

Average forward current

Power dissipation

I_FSM

I_O

200

℃

P_D

200

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

T_stg

-40-125

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

V_R=10V

MIN

TYP

MAX

UNIT

Reverse voltage leakage current

I_R

μA

Forward voltage

V_F

C_T

I_F=1mA

V_R=1V, f=1MHz

0.37

2.0

Capacitance between terminals

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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