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RB715F_08

更新时间： 2024-11-18 09:37:51

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罗姆 - ROHM		二极管
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描述
Shottky barrier diode

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RB715F_08 数据手册

RB715F

Diodes

Shottky barrier diode

RB715F

zApplication

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLead size figure (Unit : mm)

Low current rectification

㪈㪅㪊

zFeatures

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1) Small mold type. (UMD3)

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Each lead has same dimension

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2) Low V

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3) High reliability.

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zConstruction

Silicon epitaxial planer

zStructure

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zTaping dimensions (Unit : mm)

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zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current

I_FSM

㷄

Forward current surge peak (60Hz̠1cyc) (*1)

Junction temperature

200

125

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

㷄

(*1)Rating of per diode

zElectrical characteristics (Ta=25qC)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_F

I_R

0.37

IF=1mA

Sfwfstf!dvssfou

μA

VR=10V

Capacitance between terminals

VR=1V f=1MHz

2.0

Rev.B

1/3

12 3 4

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