RB715W

更新时间： 2024-01-01 21:00:28

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	187K
描述
Schottky barrier diode

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RB715W 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

RB715W 数据手册

RB715W

Diodes

Shottky barrier diode

RB715W

zApplication

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLead size figure (Unit : mm)

Low current rectification

1.0

0.5

1.6±0.2

0.3±0.1

zFeatures

0.15±0.05

ꢀꢀꢀ 0.05

1) Ultra small mold type. (EMD3)

(3)

0.7

2) Low V

3) High reliability.

0～0.1

0.6

EMD3

(1)

(2)

0.5

0.2±0.1

ꢀꢀ-0.05

0.55±0.1

0.7±0.1

0.5

1.0±0.1

zConstruction

zStructure

Silicon epitaxial planer

ROHM : EMD3

JEDEC : SOT-416

JEITA : SC-75A

dot (year week factory)

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.1

2.0±0.05

0.3±0.1

4.0±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1.8±0.1

φ0.5±0.1

0.9±0.2

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*1)

Junction temperature

I_FSM

℃

200

125

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

℃

(*1)Rating of per diode

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.37

Unit

V_F

I_R

I_F=1mA

V_R=10V

Reverse current

µA

Capacitance between terminals

V_R=1.0V f=1.0MHz

2.0

Rev.B

1/3

12 3

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