RB161L-40

更新时间： 2024-01-03 01:55:21

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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Schottky barrier diode

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RB161L-40 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.4 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	70 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

RB161L-40 数据手册

RB161L-40

Diodes

Schottky barrier diode

RB161L-40

zApplications

zExternal dimensions (Units : mm)

High frequency rectification

For switching power supply

1.5±0.2

CATHODE MARK

zFeatures

1) Compact power mold type. (PMDS)

2) Ultra low V .( V =0.35V Typ. at 1A)

+0.02

−0.1

0.1

3) V =40V guaranteed.

2.0±0.2

2.6±0.2

zConstruction

ROHM : PMDS

EIAJ : −

Silicon epitaxial planar

JEDEC : SOD-106

Date of manufacture EX. 1999.12 → 9, C

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

VRM

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

Mean rectifying current

Peak forward surge current

Junction temperature

Storage temperature

When mounting on PCB

FSM

125

˚C

Tstg

−40 +125

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

−

Max.

0.40

Unit

Conditions

−

=1.0A

=20V

−

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RB161L-40 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBD7000LT1G	ONSEMI	功能相似	Dual Switching Diode
BAV99WT1G	ONSEMI	功能相似	Dual Series Switching Diodes

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