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RB162L-60_11

更新时间： 2024-11-10 09:37:59

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB162L-60_11 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB162L-60

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

2.0

General rectification

Features

1) Small power mold type. (PMDS)

2) High switching speed

3) Low forward voltage

PMDS

Construction

Structure

Silicon epitaxial planer

Taping dimensions(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

Absolute maximum ratings(Tl=25C)

Parameter

Conditions

Limits

Unit

Symbol

V_RM

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

D0.5

Direct voltage

V_R

Glass epoxy substrate mounted

R-road, 60Hz half sin wave

Average rectified forward current

Forward current surge peak

1.0

60Hz half sin wave, Non-repetitive

I_FSM

one cycle peak value, Tj=25C

Junction temperature

Storage temperature

150

C

40 to 150

Tstg

Electrical characteristics(Tj=25C)

Parameter

Conditions

I_F=1.0A

Min.

Typ.

0.54

Max.

Symbol

V_F

Unit

Forward voltage

0.65

100

V_R=60V

Reverse current

I_R

μA

www.rohm.com

2011.04 - Rev.A

1/3

12 3 4

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