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RB162M-40_11

更新时间： 2024-02-23 12:44:08

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	999K
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Schottky Barrier Diode

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RB162M-40_11 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB162M-40

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

1.2

Applications

General rectification

Features

1)Small power mold type.(PMDU)

2)Low I_R

3)High reliability

PMDU

Construction

Silicon epitaxial planer

Structure

Taping specifications(Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Mounted on epoxy board. (Tc=100°C MAX )

Electrical characteristics(Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.55

100

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

I_F=1A

V_R=40V

μA

www.rohm.com

2011.04 - Rev.A

1/3

12 3 4

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