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RB162VA-20_11

更新时间： 2024-02-12 23:56:23

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	987K
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Schottky barrier Diode

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RB162VA-20_11 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier Diode

RB162VA-20

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

1.1

General rectification

+0.1

0.17

−0.05

Feature

1)Small mold type (TUMD2)

2)Low V_F

3)High reliability

TUMD2

Structure

Silicon epitaxial planer

+0.2

0.6

−0.1

Taping specifications (Unit : mm)

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz/1cyc)

Junction temperature

1.0

5.0

I_FSM

125

C

Storage temperature

40 to 125

Tstg

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

0.36

0.3

Max.

0.4

Unit

Conditions

V_F

I_R

Forward voltage

I_F=1.0A

V_R=20V

Reverse current

1.2

www.rohm.com

2011.04 - Rev.A

1/3

12 3 4

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