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RB168M-60_12

更新时间： 2024-01-09 11:03:31

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	574K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB168M-60_12 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB168M-60

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

1.6±0.1

1.2

Features

1)Small power mold type. (PMDU)

2)Low I_R

3)High reliability

PMDU

Construction

Silicon epitaxial

0.9±0.1

Structure

0.8±0.1

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

Taping specifications (Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

Tstg

55 to 150

(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

0.63

0.10

Max.

0.68

1.5

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=1.0A

V_R=60V

Reverse current

μA

www.rohm.com

2012.03 - Rev.B

1/3

12 3 4

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