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RB161L-40_11

更新时间： 2024-01-09 03:47:47

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	965K
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Schottky Barrier Diode

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RB161L-40_11 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB161L-40

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

General rectification

2.0

2.6±0.2

Features

1)Small power mold type（. PMDS）

2)Low V_F

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

①

②

3)High reliability

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

Manufacture Date

①

②

Manufacture Date

Taping specifications(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

125

C

Storage temperature

40 to 125

Tstg

(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

Electrical characteristic(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.40

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

I_F=1.0A

V_R=20V

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.H

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