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RB161SS-20

更新时间： 2024-09-17 09:37:59

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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5页	1094K
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Schottky Barrier Diode

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RB161SS-20 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	R-PBCC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.74
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PBCC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB161SS-20 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB161SS-20

lApplications

lDimensions (Unit : mm)

lLand size figure (Unit : mm)

Small current rectification

0.8

lFeatures

0～0.03

1)Small power mold type (KMD2)

2)High reliability

3)Low V_F

KMD2

0.8±0.05

0.6±0.03

0.7±0.05

ROHM : KMD2

JEDEC :-

lStructure

JEITA : -

lConstruction

dot (year week factory)

Silicon epitaxial planer

lTaping dimensions (Unit : mm)

lAbsolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Unit

Symbol

V_RM

V_R

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peakꢀ(60Hz･1cyc.)

Junction temperature

I_FSM

125

C

Storage temperature

Tstg

-40 to +125

lElectrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

0.33

0.38

0.20

Max.

0.37

0.42

1.00

Unit

Conditions

IF=0.7A

Forward Voltage

IF=1.0A

VF2

Reverse Current

VR=20V

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

1/4

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