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RB050L-40

更新时间: 2024-11-22 22:17:11
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罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Schottky barrier diode

RB050L-40 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.7其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.5 VJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:70 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:40 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

RB050L-40 数据手册

 浏览型号RB050L-40的Datasheet PDF文件第2页 
RB050L-40  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB050L-40  
zApplications  
zExternal dimensions (Units : mm)  
For high-frequency rectification  
For switching power supplies  
1.5±0.2  
CATHODE MARK  
zFeatures  
1) Compact power-mold type. (PMDS)  
2) IO=3A guaranteed at this size.  
3) Low IR. ( IR=16µA Typ. )  
3
5
+0.02  
0.1  
0.1  
1
2
2.0±0.2  
2.6±0.2  
zConstruction  
ROHM : PMDS  
EIAJ : −  
Silicon epitaxial planar  
JEDEC : SOD-106  
2
1
,
···Date of manufacture EX. 1999 Dec.=9, C  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
40  
Unit  
V
Peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
Mean rectifying current  
VRM  
40  
V
VR  
1
3.0  
A
I
O
2
Peak surge current  
70  
A
I
FSM  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
Tstg  
40~+125  
1 When mounted on an alumina board (82×30×1.0mm), 180° Half  
sine wave  
2 60Hz, 1  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Reverse current  
Symbol  
Max.  
0.55  
0.50  
1.0  
Unit  
V
Conditions  
V
F
F
1
2
I
I
F
F
=3.0A  
=1.5A  
V
V
mA  
I
R
VR=40V  
θj-a  
θj-a  
θj-l  
90  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
When mounted on an alumina board.  
When mounted on a glass epoxy board.  
When mounted on an alumina board.  
Thermal resistance  
120  
25  

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