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RB050PS-30

更新时间: 2024-11-22 21:54:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 220K
描述
Schottky barrier diode

RB050PS-30 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:R-PDSO-F8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.425 VJESD-30 代码:R-PDSO-F8
JESD-609代码:e2最大非重复峰值正向电流:35 A
元件数量:1相数:1
端子数量:8最高工作温度:150 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB050PS-30 数据手册

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RB050PS-30  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB050PS-30  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
zApplications  
(7)  
(6)  
(5)  
(8)  
Rectifying small power  
1pin mark  
φ1.4  
0~0.1  
4.56  
zFeatures  
(1)  
(2)  
(3)  
(4)  
1.1  
+0.1  
-0.05  
+0.1  
-0.05  
0.22  
0.4  
1) High power mold type.  
(TSOP8)  
0.635  
1.27  
0.9±0.05  
1.27  
0.75  
5±0.1  
2) Low I  
R
TSOP8  
3.9  
3) High reliability  
zStructure  
ROHM : TSOP8  
Manufacture Date  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
φ1.55±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
8.0±0.1  
0.37±0.1  
0
1PIN  
φ1.55±0.05  
6.4±0.1  
8.0±0.1  
1.2±0.2  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
V
30  
30  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz1cyc)  
Junction temperature  
3
35  
150  
Io  
IFSM  
Tj  
A
A
Storage temperature  
-40 to +150  
Tstg  
(*1)Tc=100max  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.425  
200  
Unit  
V
Conditions  
VF  
IR  
IF=3.0A  
VR=30V  
-
-
-
-
Reverse current  
µA  
Rev.A  
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