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RB050LA-30

更新时间： 2024-02-02 00:54:33

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	166K
描述
Schottky barrier diode

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RB050LA-30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	6.36
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.45 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	70 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向电流：	150 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB050LA-30 数据手册

RB050LA-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB050LA-30

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure

2.6±0.1

General rectification

0.19

2.0

zFeatures

1) Small and Thin power mold

type (PMDT)

0.1

0～

2) Low I^R

3) High reliability

1.5±0.1

0.95±0.1

PMDＴ

zStructure

Silicon Epitaxial Planer

ROHM : PMDＴ

0.3

0.2

Manufacture date

①

zTaping dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

φ1.55±0.1

8.0±0.1

4.0±0.1

0.25±0.05

ꢀꢀꢀꢀꢀ

φ1.55±0.05

2.8±0.05

8.0±0.1

1.25±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Rever voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current *

Forward cirremt surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

150

I_FSM

℃

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

(*1)Tc=90℃max Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.45

150

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=3.0A

V_R=30V

µA

1/3

12 3 4

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