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RB050LA-30TR

更新时间： 2024-01-02 00:16:48

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罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	190K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, PMDT, 2 PIN

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RB050LA-30TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	6.36
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.45 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	70 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向电流：	150 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB050LA-30TR 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB050LA-30

●Land size figure(Unit : mm)

●Dimensions (Unit : mm)

●Applications

General rectification

2.0

0.2±0.15

ꢀꢀꢀ 0.1

2.6±0.2

●Features

1)Small and thin power mold type.(PMDT)

2)Low I^R

3)High reliability

PMDＴ

●Construction

Silicon epitaxial planar

●Structure

1.5±0.2

0.95±0.1

ROHM : PMDＴ

Manufacture Date

①

●Taping specifications（Unit : mm）

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

0.25±0.05

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

4.0±0.1

2.7±0.1

1.25±0.1

●Absolute maximum ratings（Ta=25℃）

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

150

℃

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

(*1)Tc=105℃max Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave

●Electrical characteristics（Ta=25℃）

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.45

150

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=3.0A

V_R=30V

Reverse current

µA

www.rohm.com

2009.02 - Rev.B

1/3

12 3 4

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