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RB050L-40_11

更新时间： 2024-11-23 09:38:03

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罗姆 - ROHM		二极管
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4页	965K
描述
Shottky barrier diode

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RB050L-40_11 数据手册

Data Sheet

Shottky barrier diode

RB050L-40

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

General rectification

2.0

2.6±0.2

Features

1) Small power mold type. (PMDS)

2) Low I^R

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

3) High reliability.

①

②

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

①

②

Manufacture Date

Taping specifications(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward voltage

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

125

°C

Storage temperature

40 to 125

Tstg

(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.55

0.50

Unit

Conditions

I_F=3.0A

I_F=1.5A

V_R=40V

Forward voltage

Reverse current

V_F2

I_R

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.D

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