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RB050L-40DDTE25

更新时间： 2024-11-23 20:48:27

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罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	316K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3A, 40V V(RRM),

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RB050L-40DDTE25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	7.94	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	70 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	1000 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB050L-40DDTE25 数据手册

Data Sheet

Shottky barrier diode

RB050L-40

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

General rectification

2.0

2.6±0.2

Features

1) Small power mold type. (PMDS)

2) Low I^R

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

3) High reliability.

①

②

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

①

②

Manufacture Date

Taping specifications(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

125

°C

Storage temperature

Tstg

40 to 125

(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.55

0.50

Unit

Conditions

I_F=3.0A

I_F=1.5A

V_R=40V

Forward voltage

Reverse current

V_F2

I_R

www.rohm.com

1/3

2013.06 - Rev.E

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