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RB050L-60TE25

更新时间: 2024-11-23 12:46:51
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罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 363K
描述
Schottky barrier diode

RB050L-60TE25 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:7.92
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.56 V
JEDEC-95代码:DO-214ACJESD-30 代码:R-PDSO-C2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:70 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:60 V
最大反向电流:100 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RB050L-60TE25 数据手册

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Data Sheet  
Schottky barrier diode  
RB050L-60  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
General rectification  
2.0  
2.6±0.2  
4
3
Features  
0.1±0.02  
ꢀꢀꢀ 0.1  
1)Small power mold type. (PMDS)  
2)Low IR  
PMDS  
3)High reliability  
2.0±0.2  
1.5±0.2  
Structure  
ROHM : PMDS  
JEDEC : SOD-106  
Construction  
Manufacture Date  
Silicon epitaxial planar  
Taping specifications (Unit : mm)  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3  
φ1.55±0.05  
φ1.55  
2.9±0.1  
4.0±0.1  
2.8MAX  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
60  
60  
V
Average rectified forward current (*1)  
Average rectified forward current (*2)  
Forward current surge peak (60Hz1cyc)  
Junction temperature  
3
Io  
A
2
70  
Io  
IFSM  
Tj  
A
A
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
40 to 150  
Tstg  
(*1) On the Glass epoxy substrate, half sine wave at 180° Tc=69°C MAX  
(*2) On the Glass epoxy substrate, half sine wave at 180°  
Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
VF1  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.52  
0.56  
100  
Unit  
V
Conditions  
IF=2.0A  
-
-
-
-
-
-
Forward voltage  
VF2  
IF=3.0A  
V
VR=60V  
IR  
Reverse current  
A  
www.rohm.com  
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1/3  
2011.04 - Rev.A  

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