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QSX3TR

更新时间： 2024-11-11 19:54:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 54K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT6, 6 PIN

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QSX3TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-95
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：360 MHzBase Number Matches：1

QSX3TR 数据手册

 浏览型号QSX3TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QSX3TR的Datasheet PDF文件第3页 
QSX3  
QSX3  
Transistors  
Low frequency amplifier  
QSX3  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1pin mark  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat)  
250mV  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : X03  
at lc=1.5A / lB=30mA  
ROHM : TSMT6  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
30  
30  
6
5
8
500  
Unit  
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
A
A
I
C
Collector current  
Power dissipation  
∗1  
I
CP  
mW ∗2  
W
P
C
∗3  
1.25  
(1)  
(2)  
(3)  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
°C  
°C  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
∗1 Single pulse, Pw=1ms  
∗2 Each Terminal Mounted on a Recommended  
t
∗3 Mounted on a 25mm×25mm× 0.8mm Ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
−
−
−
−
120  
−
360  
20  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
15  
12  
6
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
V
C
−
V
E
=10µA  
CB=15V  
EB=6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
270  
−
100  
100  
250  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
=1.5A, I  
CE=2V, I  
CE=2V, I  
B
=30mA  
h
V
V
V
C
=500mA∗  
Transition frequency  
f
T
E
=−500mA, f=100MHz∗  
CB=10V, I  
E=0A, f=1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
−
−
∗ Pulse  
Rev.A  
1/2  
123

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