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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.061 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| QS8F2TR | ROHM | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.061ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| QS8J1 | ROHM | 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET |
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| QS8J11 | ROHM | 1.5V Drive Pch Pch MOSFET |
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| QS8J11TCR | ROHM | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 0.043ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| QS8J11TR | ROHM | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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|
| QS8J12 | ROHM | 1.5V Drive Pch + Pch MOSFET |
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