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QS8F2

更新时间： 2024-01-07 22:52:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管驱动
页数 文件大小 规格书
7页 1303K
描述
1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR

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QS8F2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
配置：SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：0.061 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

QS8F2 数据手册

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Data Sheet  
QS8F2  
ꢀ
Electrical characteristic curves (Ta=25C)  
〈Tr.1〉  
10  
8
10  
10  
1
VDS= -6V  
Pulsed  
Ta=25℃  
Pulsed  
Ta=25℃  
Pulsed  
VGS= -10V  
VGS= -4.5V  
8
6
4
2
0
VGS= -4.0V  
VGS= -2.5V  
VGS= -2.0V  
VGS= -1.8V  
VGS= -10V  
VGS= -4.5V  
VGS= -2.5V  
Ta= 125°C  
Ta= 75℃  
Ta= 25℃  
Ta= - 25℃  
6
VGS= -1.6V  
4
VGS= -1.5V  
0.1  
0.01  
2
VGS= -1.2V  
VGS= -1.2V  
8 10  
0
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0
2
4
6
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE -VDS[V]  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE -VDS[V]  
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS [V]  
Fig.3 Typical Transfer Characteristics  
Fig.1 Typical Output Characteristics(Ⅰ)  
Fig.2 Typical Output Characteristics(Ⅱ)  
1000  
100  
10  
1000  
1000  
Ta=25℃  
Pulsed  
VGS= -2.5V  
Pulsed  
VGS= -4.5V  
Pulsed  
100  
100  
.
Ta=125℃  
Ta=75℃  
Ta=25℃  
Ta= -25℃  
VGS= -1.5V  
VGS= -1.8V  
VGS= -2.5V  
VGS= -4.5V  
Ta=125℃  
Ta=75℃  
Ta=25℃  
Ta= -25℃  
10  
10  
0.1  
1
10  
0.1  
1
10  
0.1  
1
10  
DRAIN CURRENT : -ID [A]  
DRAIN CURRENT : -ID [A]  
DRAIN CURRENT : -ID [A]  
Fig.4 Static Drain-Source On-State  
Fig.5 Static Drain-Source On-State  
Resistance vs. Drain Current(Ⅱ)  
Fig.6 Static Drain-Source On-State  
Resistance vs. Drain Current(Ⅰ)  
Resistance vs. Drain Current(Ⅲ)  
10  
1
1000  
100  
10  
1000  
VGS= -1.8V  
Pulsed  
VGS= -1.5V  
Pulsed  
VGS=0V  
Pulsed  
Ta=125℃  
Ta=75℃  
Ta=25℃  
Ta=-25℃  
100  
0.1  
Ta=125℃  
Ta=75℃  
Ta=25℃  
Ta= -25℃  
Ta=125℃  
Ta=75℃  
Ta=25℃  
Ta= -25℃  
0.01  
10  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0.1  
1
10  
0.1  
1
10  
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V]  
DRAIN CURRENT : -ID [A]  
DRAIN CURRENT : -ID [A]  
Fig.7 Static Drain-Source On-State  
Fig.9 Reverse Drain Current  
vs. Sourse-Drain Voltage  
Fig.8 Static Drain-Source On-State  
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)  
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
3/6  
2011.04 - Rev.A  
1234567

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