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QS8888A-15V

更新时间: 2024-02-04 05:40:51
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 856K
描述
16KX4 CACHE SRAM, 15ns, PDSO24

QS8888A-15V 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85最长访问时间:15 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J24JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
功能数量:1端子数量:24
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16KX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

QS8888A-15V 数据手册

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