QS8F2

更新时间： 2024-01-27 00:34:24

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管驱动
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7页	1303K
描述
1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR

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QS8F2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.061 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QS8F2 数据手册

Data Sheet

1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR

QS8F2

 Structure

Dimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOSFET/

PNP TRANSISTOR

TSMT8

(8) (7) (6) (5)

Features

1) Low on-resistance.

(1) (2) (3) (4)

2) High power package(TSMT8).

3) Low voltage drive(1.5V drive).

Abbreviated symbol : F02

 Application

Switching

 Packaging specifications

Inner circuit

(8)

(7)

(6)

(5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000



QS8F2

∗2

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Emitter

(4) Tr2 Base

∗1

(5) Tr2 Collector

(6) Tr2 Collector

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

<Tr1(Pch MOSFET)>

(1)

(2)

(3)

(4)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

Parameter

Drain-source voltage

Symbol

Limits

12

10

2.5

10

1

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-source voltage

Continuous

Pulsed

Drain current

I_DP

Continuous

Pulsed

I_s

Source current

(Body Diode)

I_sp

10

* Pw10s, Duty cycle1%

<Tr2(PNP Tr)>

Parameter

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Limits

30

6

Unit

Collector-Emitter voltage

Collector-Base voltage

Emitter-Base voltage

Continuous

Pulsed

2

Collector current

I_CP

4

* Pw1ms, Pulsed

Parameter

Symbol

Limits

1.5

Unit

W / TOTAL

W / ELEMENT

C

P_D

Power dissipation

1.25

Junction temperature

150

Range of storage temperature

* Mounted on a ceramic board.

Tstg

55 to 150

C

www.rohm.com

2011.04 - Rev.A

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与QS8F2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QS8F2TR	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.061ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
QS8J1	ROHM	1.5V Drive Pch+Pch MOSFET	获取价格
QS8J11	ROHM	1.5V Drive Pch Pch MOSFET	获取价格
QS8J11TCR	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 0.043ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
QS8J11TR	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
QS8J12	ROHM	1.5V Drive Pch + Pch MOSFET	获取价格