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QIC0212003

更新时间： 2024-01-18 16:18:17

品牌	Logo	应用领域
POWEREX		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	51K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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QIC0212003 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	120 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QIC0212003 数据手册

Preliminary

QIC0212003

Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272

www.pwrx.com

Dual IGBT Common Emitter Module

120 Amp/250 Volts

Description:

Powerex Dual IGBT Module

designed specially for customer

applications. Each Module

consists of one IGBT transistors in

a common emitter configuration.

The modules are isolated for easy

mounting with other components

on a common heat sink.

QIC0212003

Dual IGBT Module

Common Emitter

120 Amperes / 250 Volts

Features:

Low Drive Power

Low Vce(sat)

One(1) Trench Gate 120A 250V

IGBT chip per switch

Isolated Mounting

Substrate – DBC AlN

Copper Baseplate

2500V Isolating Mounting

Dimensions

Inches

3.62

Millimeters

3.15

1.40

35.6

0.83

1.18

0.79

0.93

23.7

17.2

5.8

0.68

0.23

0.61

15.6

16.2

16.5

0.64

0.65

0.40

0.25

6.2

0.256 DIA.

0.15

6.5 DIA.

3.8

0.79

0.25

6.3

Page 1 of 3

09/19/2006

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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