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QIC0212003

更新时间： 2024-01-09 12:14:46

品牌	Logo	应用领域
POWEREX		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	51K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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QIC0212003 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	120 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QIC0212003 数据手册

Preliminary

QIC0212003

Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272

www.pwrx.com

Dual IGBT Common Emitter Module

120 Amp/250 Volts

Maximum Ratings, Tj=25°C unless otherwise specified

Symbol

QIC0212003

Units

Ratings

Collector Emitter Voltage

Gate Emitter Voltage

V_CES

V_GES

I_C

250

±20

Volts

Collector Current

120

Amperes

°C

Peak Collector Current

Junction Temperature

Storage Temperature

I_CM

T_j

240*

-40 to 150

-40 to 125

T_stg

°C

Mounting Torque, M5 Terminal Screws

Mounting Torque, Mounting Screws

Module Weight (Typical)

V Isolation

In-lb

110

Grams

Volts

V_RMS

2500

*Pulse width and repetition rate should be such that device junction temperature does not exceed the device rating.

Static Electrical Characteristics, Tj=25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector Cutoff Current

Gate Leakage Current

I_CES

I_GES

V_CE=V_CESV_GE=0V

V_GE=V_GESV_CE=0V

1.0

0.5

µA

Gate-Emitter Threshold Voltage

V_GE(th)

I_C=15mA, V_CE=10V

I_C=120A, V_GE=10V

3.0

4.0

1.2

1.1

5.0

1.7

Volts

Collector-Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)

I_C=120A, V_GE=10V,

T_j=150°C

Thermal and Mechanical Characteristics, Tj=25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

R_θJC

Test Conditions

Per IGBT

Min.

Typ.

0.24

Max.

TBD

0.1

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Contact Thermal Resistance, Thermal Grease

Applied

R_θCF

Per Module

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09/19/2006

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