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QID0630001 PDF预览

QID0630001

更新时间： 2024-02-15 10:20:26

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
3页	224K
描述
TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C)

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QID0630001 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	300 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	门极-发射极最大电压：	20 V
元件数量：	1	最大功率耗散 (Abs)：	1100 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	VCEsat-Max：	2.8 V
Base Number Matches：	1

QID0630001 数据手册

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